Комплекс для выявления каналов утечки речевой информации - "БИНАФОН-Н3"

Binafon_n3_L
Binafon_n3_L
Dathiki_Binafon-n_L
Binafon_n3_L
Binafon_n3_L
Dathiki_Binafon-n_L

ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ

  • Диапазон рабочих частот входного сигнала (по уровню 3 дБ) высокочастотных сигналы, кГц10 - 100000
  • Время формирования панорамы рабочего диапазона частот (с полосой пропускания 5000 кГц) высокочастотных сигналы, сек0.5, не более
  • Ширина полос пропускания входного сигнала (высокочастотных сигналы), кГц5000 / 250 / 12.5
  • Чувствительность по входу (при отношении с/ш 10 дБ) (высокочастотных сигналы), дБм/Гцминус 110, не более
  • Максимальный уровень входного сигнала (высокочастотных сигналы), дБм13, не менее
  • Максимальная полоса пропускания (по уровню 3дБ) (высокочастотных сигналы), МГц5, не менее
  • Минимальное разрешение по частоте (высокочастотных сигналы), Гц12, не более
  • Входное сопротивление (высокочастотных сигналы), Ом50
  • Диапазон частот входного сигнала (по уровню-3дБ) (низкочастотные сигналы), Гц100 - 25000
  • Чувствительность по входу (при соотношении с/ш 10 дБ) в полосе 1 Гц (низкочастотные сигналы), нВ50, не более
  • Ширина полос пропускания входного сигнала (низкочастотные сигналы), Гц25000 / 2500 / 250
  • Максимальная полоса пропускания (по уровню 3дБ) (низкочастотные сигналы), кГц25, не менее
  • Минимальное разрешение по частоте (низкочастотные сигналы), Гц0.5, не более
  • Максимальная амплитуда входного сигнала (низкочастотные сигналы), В10, не менее
  • Входное сопротивление (на разъемах TEL, LAN) (низкочастотные сигналы), кОм100
  • Входное сопротивление (на разъеме INPUT) (низкочастотные сигналы), кОм50
  • Напряжение смещения, Вот -17 до +17, с шагом 1
  • Выходное сопротивление источника напряжения смещения, Ом1000
  • Напряжение пробоя гальванической развязки, В1500, не менее
  • Проходная емкость гальванической развязки, пФ50, не более
  • Напряжение питания от внешнего адаптера, В12.6 ±0.1
  • Ток потребления, мА800, не более
  • Габариты основного блока, мм265 х 170 х 130, не более
  • Вес основного блока, кг1.5, не более
  • Спектральный диапазон чувствительности (по уровню 50% от максимума) -IR №1, нм от 780±50 до 1050±50
  • Спектральный диапазон чувствительности (по уровню 50% от максимума) -IR №2, нмот 1000±50 до 1900±50
  • Длина волны максимальной чувствительности-IR №1, нм900 ±50
  • Длина волны максимальной чувствительности-IR №2, нм1700 ±50
  • Обнаружительная способность -IR №1, cm * Hz1/2/W3,5*1012
  • Обнаружительная способность -IR №2, cm * Hz1/2/W1,7*1012
  • Уровень собственных шумов, дБ27, не более
  • Чувствительность (на частоте 1 кГц), мВ/Па200
  • Частотный диапазон (по уровню -3 дБ), Гц100-10000
  • Максимальный измеряемый уровень звукового давления, дБ114, не менее
  • Частотный диапазон ( по уровню -3 дБ), Гц100-8000
  • Чувствительность, мВ/г, не менее100
  • Чувствительность (на частоте 1 кГц), мВ/Па200
  • Частотный диапазон ( по уровню -3 дБ), Гц100-10000
  • Максимальное звуковое давление, дБ94, не менее
  • Частотный диапазон ( по уровню -3 дБ), Гц200-20000
  • Номинальная чувствительность к напряженности магнитного поля, дБ / 1А/м0

Комплекс для выявления каналов утечки речевой информации - "БИНАФОН-Н3"

Комплекс "БИНАФОН-Н3" предназначен для выполнения следующих работ:

  • Обнаружение излучения передатчиков информации в ИК-диапазоне;
  • Выявление акустических и виброакустических каналов утечки информации;
  • Установление фактов подключения средств съема информации, передающих сигналы по "слаботочным" проводным коммуникациям или силовым сетям переменного тока;
  • Фиксация магнитных полей, излучаемых техническими средствами обработки информации и проводными кабельными линиями;
  • Обнаружение эффекта акустоэлектрического преобразования в оконечных устройствах;
  • Проведение спектрального анализа сигналов в звуковом и высокочастотном диапазонах, а также демодуляция АМ и FM сигналов.

Комплекс "БИНАФОН-Н3" обеспечивает выявление фактов передачи информации по указанным выше каналам, прослушивание ее громкоговорителем или головными телефонами и запись контролируемых сигналов на SD карту памяти.

В состав комплекса входят следующие датчики:

  • Датчик инфракрасного излучения, предназначенный для обнаружения источников излучения в коротковолновом и длинноволновом диапазонах;
  • Внешний микрофон на телескопической штанге, позволяющий оценить утечку акустической информации по вентиляционным каналам, имеющимся сквозным щелям, трещинам и нарушениям уплотнителей.
  • Датчик звукового давления, предназначенный для оценки ослабления уровня звуковых сигналов при прохождении их через строительные конструкции.
  • Виброакустический датчик, предназначенный для оценки виброакустических свойства ограждающих конструкций и инженерных коммуникаций.
  • Магнитная антенна, предназначенная для выявления побочных электромагнитных излучений в звуковом диапазоне частот.
  • Кабель с зажимами типа «крокодил», предназначенный для съёма сигналов низкочастотного или высокочастотного диапазонов с контактов проверяемых проводных линий или оконечных устройств.

СОСТАВ КОМПЛЕКТА:

  • Основной блок "БИНАФОН-Н3"
  • Внешний микрофон на телескопической штанге
  • Магнитная антенна
  • Двухдиапазонный датчик инфракрасного излучения
  • Датчик виброакустический
  • Датчик звукового давления
  • Кабель с зажимами типа «крокодил»
  • Комплект соединительных кабелей
  • Головные телефоны
  • Сетевой адаптер 220В/12.6 В